切换MRAM技术

切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。

在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。在写入期间，来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元，但不会干扰任一条线上的其他单元。

EVERSPIN MRAM产品采用一个晶体管，一个磁隧道结（MTJ）存储单元作为存储元件。MTJ由固定的磁性层，薄的电介质隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。

当自由层的磁矩平行于固定层时，MTJ器件具有低电阻，而当自由层磁矩与固定层矩反平行时，MTJ器件具有高电阻。

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。

Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。

免责声明：本文内容部分来源于网络，出于网络分享目的，如对您的权益版权有异议我们将予以删除，谢谢合作！

切换MRAM技术

切换MRAM使用1个晶体管，1个MTJ单元来提供简单的高密度存储器。Everspin使用获得专利的Toggle电池设计，可提供高可靠性。数据在温度下20年始终是非易失性的。

在读取期间，传输晶体管被激活，并且通过将单元的电阻与参考器件进行比较来读取数据。在写入期间，来自写入线1和写入线2的磁场会在两条线的交点处写入单元，但不会干扰任一条线上的其他单元。

EVERSPIN MRAM产品采用一个晶体管，一个磁隧道结（MTJ）存储单元作为存储元件。MTJ由固定的磁性层，薄的电介质隧道势垒和自由磁性层组成。当对MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子将通过称为隧穿的过程穿过介质阻挡层。

当自由层的磁矩平行于固定层时，MTJ器件具有低电阻，而当自由层磁矩与固定层矩反平行时，MTJ器件具有高电阻。

MRAM是一种利用电子自旋的磁性提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，从而在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和Flash的非易失性。

Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功能和断电保护。

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