MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（free layer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。

everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。

与Toggle MRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量，并且具有高度可扩展性，从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计，可提供长数据保留，小单元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。

1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一种类似于JEDEC的DDR4接口，需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM，但无需刷新。计划开发其他产品，这些产品将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。

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MRAM的主体结构由三层结构的MTJ构成：自由层（free layer），固定层和氧化层。自由层与固定层的材料分别是CoFeB和MgO。MRAM 是一种非易失性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。存储器读取电路是通过加载相同的电压判断输出电流的大小从而判断存储器的信息。

everspin的最新MRAM技术利用自旋转矩传递特性，即利用极化电流操纵电子的自旋，以建立自由层的所需磁状态，以对存储阵列中的位进行编程或写入。

与Toggle MRAM相比，自旋传递扭矩MRAM或STT-MRAM显着降低了开关能量，并且具有高度可扩展性，从而可以实现更高密度的存储产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们已经开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ叠层设计，可提供长数据保留，小单元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。

1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一种类似于JEDEC的DDR4接口，需要进行一些修改才能利用MRAM技术的持久性。 这些产品的性能类似于持久性DRAM，但无需刷新。计划开发其他产品，这些产品将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。

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